SUMMARY
Le silicium est très important pour la fabrication des cellules solaires. La caractérisationdes semiconducteurs par le microscope électronique à balayage (SEM) en utilisant lestechnique associées, telle que le courant induit par le faisceau électronique (EBIC) etcathodoluminescence (CL), est très intéressante. Actuellement, la méthode Monte Carlodevient un bon outil pour simuler l’interaction électron-matière et la longueur de diffusion.Dans ce travail, on propose un nouveau modèle de calcul Monte Carlo permet d’étudier laprofondeur des électrons et la dissipation d’énergie dans le silicium. Nos résultats sontcomparés avec ceux obtenus par d’autres modèles analytiques. Concernant la profondeur depénétration, il y a un bon accord avec les autres modèles, en particulier, dans le domaine defaible énergie d’accélération.